据韩国统计厅周四公布的数据，1月芯片库存环比猛增了28%，为1996年2月以来的最大月度增幅，而与一年前相比，芯片库存飙升了39.5%。
与之相对应的是芯片出货量大幅下滑。统计厅数据显示，由于芯片价格大幅下跌，1月芯片产量环比降5.7%，出货量环比跌25.8%。
从去年开始，在美联储等全球主要央行的连环加息风暴下，全球半导体需求低迷，导致韩国出口持续下滑。
根据官方统计的数据，2月份韩国半导体产品的出口额为59.6亿美元，同比下滑42.5%。此外，2月份整体出口额同比下降7.5%，并为连续第12个月出现贸易逆差。
对此，韩国财长秋庆镐周四警告称，除非芯片销售出现反弹，否则韩国的出口低迷将持续下去。
作为韩国出口的关键商品之一，半导体制造是韩国经济的主要推动力。由于出口持续低迷，去年四季度韩国经济出现了近3年来的首次下滑。
然而，未来全球央行可能会在未来继续将利率保持在高水平，加上地缘紧张持续加剧，给全球半导体需求蒙上一层阴影。韩国半导体出口将继续受到威胁，本季度的经济看起来也面临巨大挑战。
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得益于颠覆性的3D芯片堆叠技术，AMDRyzen97950X3D已成为目前最强的游戏处理器之一，但奇怪的是，该公司在发布Ryzen7000X3D时没有提到任何关于其新的第二代3DV-Cache细节。
AMD在最近的一次技术会议上向外媒分享了一些细节。据介绍，这颗Chiplet芯片仍采用7nm工艺，但峰值带宽提高到了2.5TB/s，而初代3DV-Cache峰值带宽为2TB/s。
此外，我们还拿到了AMDRyzen7000处理器的新型6nmI/O芯片的新图片和参数。
总的来说，AMD第二代3DV-Cache技术比第一代技术再次向前迈出了一大步。
首先，AMD的3DV-Cache技术将一颗额外的L3SRAM芯片直接堆叠在计算芯片（CCD）芯片的中心，从而将其与温度较高的核心隔离开来。这颗芯片为它带来了96MB3D缓存，从而提高了对延迟敏感类应用程序的性能表现，比如游戏。
AMD在2023年国际固态电路会议（ISSCC）上展示了一些关于第二代3DV-Cache实现的新技术，并就Zen4架构进行了演示。
AMD上一代3DV-Cache将L3SRAM芯片堆叠在7nmZen3CCD上，而新一代的L3SRAM芯片依然坚持采用了7nm工艺，但它需要堆叠在更小的5nmZen4CCD上。这就造成了尺寸不匹配，因此需要进行一些修改，最终大幅提高了其晶体管密度。
与之前一样，这颗额外的L3SRAM缓存带来了4个clock的时钟信号延滞，但L3芯片和基本芯片之间的带宽增加到2.5TB/s，比之前的2TB/s提高了25%。
这颗L3SRAM芯片通过两种类型的TSV硅通孔连接到基础模芯片部分。其中PowerTSV负责传输能量，SignalTSV负责传输数据。
在第一代L3SRAM芯片设计中，两种类型的TSV都位于基础芯片的L3区域，然而随着5nm工艺的改进，基础芯片上的L3缓存部分的面积现在有所减少。因此，即使7nm的L3SRAM芯片面积更小，它现在也与L2缓存（前一代只重叠了L3缓存部分）发生重叠，所以AMD不得不改变基本芯片和L3SRAM芯片中的TSV连接设计。
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